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晶體管 IRFI1010NPBF FET,MOSFET

發(fā)布時間:2018/8/6

IRFI1010NPBF介紹:

描述 MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周

詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 55V 49A(Tc) 58W(Tc) TO-220AB 整包

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 55V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 49A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 12 毫歐 @ 26A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 58W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB 整包

封裝/外殼 TO-220-3 整包

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;


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電話:0755-88607867


無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡便,有利于提高元器件的安裝密度。

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