晶體管 SI2308BDS-T1-E3 MOSFET - 單
發布時間：2018/8/6
SI2308BDS-T1-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
制造商標準提前期 33 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 2.3A（Tc） 1.09W（Ta），1.66W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 2.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 156 毫歐 @ 1.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 190pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.09W（Ta），1.66W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管(transistor)是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
