晶體管 APT40GP90B MOSFET - 單
發布時間：2018/8/7
APT40GP90B介紹：
描述 IGBT 900V 100A 543W TO247
詳細描述 IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 7?
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零件狀態 在售
IGBT 類型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 900V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 160A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 3.9V @ 15V，40A
功率 - 最大值 543W
開關能量 825μJ（關）
輸入類型 標準
柵極電荷 145nC
25°C 時 Td（開/關）值 16ns/75ns
測試條件 600V，40A，5 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應商器件封裝 TO-247 [B]
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晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明之一，在重要性方面可以與印刷術，汽車和電話等的發明相提并論。晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
