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晶體管 BSC020N03LSGATMA1 MOSFET - 單

發布時間:2018/8/8

BSC020N03LSGATMA1介紹:
描述 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 28A(Ta),100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 2 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 93nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),96W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
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在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發射極到集電極之間,產生大電流;在場效應晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。
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