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晶體管 IPB100N04S2-04 FET-MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2018/8/9

IPB100N04S2-04介紹:

描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 40V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 100A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 3.3 毫歐 @ 80A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 172nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 300W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-3-2

封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、

臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

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電話:0755-23941780


因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的第一個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極(gate electrode)使用金屬作為其材料,但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,現(xiàn)代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。

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