晶體管 NTR1P02LT1G MOSFET - 單
發布時間：2018/8/17
NTR1P02LT1G介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
制造商標準提前期 13 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 1.3A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 220 毫歐 @ 750mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.25V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.5nC @ 4V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 225pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 400mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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