晶體管 TPH1R403NL MOSFET - 單
發布時間：2018/8/20
TPH1R403NL介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A（Ta） 1.6W（Ta），64W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSVIII-H
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 60A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.4 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 500μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 46nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4400pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta），64W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SOP Advance（5x5）
封裝/外殼 8-PowerVDFN
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。
東芝(Toshiba)，是日本最大的半導體制造商，也是第二大綜合電機制造商，隸屬于三井集團。公司創立于1875年7月，原名東京芝浦電氣株式會社，1939年由東京電氣株式會社和芝浦制作所合并而成，業務領域包括數碼產品、電子元器件、社會基礎設備、家電等。
