晶體管 SI4116DY-T1-GE3 MOSFET - 單
發布時間：2018/9/4
SI4116DY-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 8.6 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 56nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。
在2002年主要收購了BC元件(BCcomponents是以前飛利浦電子公司和貝士拉革(Beyschlag)公司生產無源元件的部門)，它是歐洲和亞洲領先的無源元件制造商，這個收購極大的增強了威世在無源元件方面的全球市場位置。?
