晶體管 FDC645N FET-MOSFET
發布時間：2018/9/25
FDC645N介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 26 毫歐 @ 6.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 21nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1460pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SuperSOT?-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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理論上和實際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優勢得以發揮。
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