晶體管 FQPF7N65C 半導體產品
發布時間：2018/9/28
FQPF7N65C介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 通孔 N 溝道 650V 7A（Tc） 52W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.4 歐姆 @ 3.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1245pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 52W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220F-3（Y 型）
封裝/外殼 TO-220-3 全封裝，成形引線
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
ON Semiconductor-ON Semiconductor (Nasdaq: ON) 推動能效創新，幫助客戶減少總體能源使用。 公司提供種類全面的產品組合，具體包括高能效電源和信號管理、邏輯、分立和定制解決方案，能幫助設計工程師解決在汽車、通信、計算、消費電子、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源應用方面的獨特設計難題。 |
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