晶體管 FDS9933A MOSFET - 陣列
發布時間：2018/10/23
FDS9933A介紹：
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 2 個 P 溝道（雙） Mosfet 陣列 20V 3.8A 900mW 表面貼裝 8-SOIC
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 P 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.8A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 3.8A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 600pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SOIC
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名
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