晶體管 SI4850EY-T1-E3 MOSFET - 單
發布時間：2018/10/25
SI4850EY-T1-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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