晶體管 DMP3020LSS-13 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/10/25
DMP3020LSS-13介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 32 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 12A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 14 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 30.7nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1802pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SOP
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
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