晶體管 RN4987FE,LF(CT 雙極 (BJT)
發(fā)布時(shí)間：2018/10/30
RN4987FE,LF(CT介紹：
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預(yù)偏置
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
晶體管類(lèi)型 1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 10 千歐
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 47 千歐
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
頻率 - 躍遷 250MHz，200MHz
功率 - 最大值 100mW
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝 ES6
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
